【TS512MSH64V1H】 創見 筆記型記憶體 4GB DDR4-2133 終身保固 單一條4G 公司貨 封面照片

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商品描述

商品說明
創見4GB DDR4 Memory 260Pin SO-DIMM DDR4-2133MHz Unbuffer Non-ECC Memory
產品型號: TS512MSH64V1H
創見推出DDR4記憶體系列,速度、容量、節能完美兼顧!
創見資訊因應日益增加的DDR4記憶體產品需求,陸續推出一系列DDR4 2133 MHz UDIMM、RDIMM、ECC-DIMM及ECC SO-DIMM記憶體,可支援Intel新世代Xeon processor E5-2600 V3系列、Haswell-E處理器X99晶片組及微型伺服器產品。每支DDR4記憶體皆具備高頻寬資料傳輸及1.2伏特超低電壓等特性,能完美導入雲端運算、虛擬化與高效能運算系統,大幅提升系統表現。

容量、效能,全面提升
創見DDR4記憶體採用高品質DRAM顆粒,提供絕佳可靠度及穩定性。新一代DDR4技術使單一顆粒密度提高,因此創見也針對不同系統需求,推出4GB至32GB多種容量。此外,創見DDR4伺服器記憶體的傳輸頻率最高可達2133MHz,以每秒17GB的高頻寬表現,帶來前所未有的資料傳輸效率。

1.2伏特超低電壓,節能減碳
創見DDR4記憶體具備1.2伏特低耗能特性,能減少記憶體控制器的電力負荷,相較於標準DDR3規格的1.5伏特電壓,節能率高達40%,不僅行動裝置的電池壽命可因耗電量減少而延長,更能達到響應環保的目標。此外,記憶體減少發熱亦可降低系統運作時的溫度,進而提高記憶體模組整體的耐用度。

產品特色:
記憶體產品穩定耐用‧高度相容性保證
100%嚴密測試
終身保固
 
商品規格
規格:
記憶體類型: DDR4 Memory
針腳及模組: 260Pin SO-DIMM
頻率: DDR4-2133
功能: Unbuffered Non-ECC Memory
容量: 4GB
顆粒: 512Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
電壓: 1.2 V
CL值: 15

資料來源:創見
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